重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙浩 ; 齐鸣 ; 徐安怀 ; 艾立鹍 ; 朱福英 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 11 |
| 关键词 | SOI 总剂量辐射 背沟道 掩埋氧化层 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V.s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51277]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙浩,齐鸣,徐安怀,等. 重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性[J]. 半导体学报,2007(11). |
| APA | 孙浩,齐鸣,徐安怀,艾立鹍,&朱福英.(2007).重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性.半导体学报(11). |
| MLA | 孙浩,et al."重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性".半导体学报 .11(2007). |
入库方式： OAI收割
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