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基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文)

文献类型:期刊论文

作者于进勇 ; 刘新宇 ; 苏树兵 ; 王润梅 ; 徐安怀 ; 齐鸣
刊名半导体学报
出版日期2007
期号02
关键词光电导开关 Ensemble-Monte Carlo模拟 辐射场屏蔽 空间电荷屏蔽
ISSN号0253-4177
中文摘要报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2μm×12.5μm的InPHBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器.
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51297]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
于进勇,刘新宇,苏树兵,等. 基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文)[J]. 半导体学报,2007(02).
APA 于进勇,刘新宇,苏树兵,王润梅,徐安怀,&齐鸣.(2007).基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文).半导体学报(02).
MLA 于进勇,et al."基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文)".半导体学报 .02(2007).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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