采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 贺威 ; 张正选 ; 张恩霞 ; 钱聪 ; 田浩 ; 王曦 |
| 刊名 | 高能物理与核物理
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | SOI材料 功率器件 LDMOS功率 |
| ISSN号 | 0254-3052 |
| 中文摘要 | 采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)的绝缘体上硅(SOI)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅NMOS／SOI晶体管,并对其进行60Coγ射线总剂量辐照试验．通过背栅的I-V特性表征晶体管的总剂量辐照特性．结果表明,在埋氧层注硅可以降低NMOS／SOI受辐照引起的背栅阈值电压漂移,提高埋氧层的抗总剂量能力． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51304]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺威,张正选,张恩霞,等. 采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文)[J]. 高能物理与核物理,2007(04). |
| APA | 贺威,张正选,张恩霞,钱聪,田浩,&王曦.(2007).采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文).高能物理与核物理(04). |
| MLA | 贺威,et al."采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究(英文)".高能物理与核物理 .04(2007). |
入库方式： OAI收割
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