锗纳米晶浮栅存储器的电荷存储特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘奇斌 ; 宋志棠 ; 吴良才 ; 封松林 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 分布布拉格反射镜 气态源分子束外延 X射线衍射 反射谱 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性。MIS结构由电子束蒸发的方法制备,包括Al2O3控制栅,Al2O3中Ge纳米晶和Al2O3隧道氧化层。这种MIS结构在1MHz下的C-V特性表现出良好的电学性能,平带电压漂移为0.96V,电荷存储密度达到4.17×1012cm-2。不同频率下Ge纳米晶在Al2O3介质中电荷存储特性随着频率的增加,平带电压的漂移和存储的电荷数减小。随着扫描速率的增加,平带 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51313]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘奇斌,宋志棠,吴良才,等. 锗纳米晶浮栅存储器的电荷存储特性[J]. 功能材料与器件学报,2007(02). |
| APA | 刘奇斌,宋志棠,吴良才,&封松林.(2007).锗纳米晶浮栅存储器的电荷存储特性.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 刘奇斌,et al."锗纳米晶浮栅存储器的电荷存储特性".功能材料与器件学报 .02(2007). |
入库方式： OAI收割
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