基于高阻硅衬底的微波传输线和数字移相器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 罗源 ; 李凌云 ; 钱蓉 ; 喻筱静 ; 孙晓玮 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 课题经费 预算管理 支出控制 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 在高阻硅衬底上微波传输线以及工作在7.5～8.5GHz频带的四位数字移相器。测试表明,在高阻硅衬底上制备的50Ω微带线在5～15GHz频率范围内的插入损耗低于0.8dB/cm;在同样衬底上用混合集成技术制作的7.5～8.5GHz四位数字移相器的各状态插入损耗为(7.5±3)dB,回波损耗大于12dB,均方根(RMS)相位误差小于5°。具有良好的微波器件性能。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51315]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗源,李凌云,钱蓉,等. 基于高阻硅衬底的微波传输线和数字移相器[J]. 功能材料与器件学报,2007(02). |
| APA | 罗源,李凌云,钱蓉,喻筱静,&孙晓玮.(2007).基于高阻硅衬底的微波传输线和数字移相器.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 罗源,et al."基于高阻硅衬底的微波传输线和数字移相器".功能材料与器件学报 .02(2007). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。