SOI LDMOS功率器件的研究与制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程新红 ; 杨文伟 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 ; 姜丽娟 ; 王芳 |
| 刊名 | 微处理机
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 光电导开关 THz电磁波 载流子寿命 空间电荷屏蔽 |
| ISSN号 | 1002-2279 |
| 中文摘要 | 根据REUSRF原理,对器件参数进行优化。采用与常规CMOS工艺兼容的技术,在SIMOX片上制备了薄膜SOI LDMOS功率器件。器件呈现良好的电学性能:漏极偏压5V时,泄漏电流仅为1nA;当漂移区长度为4μm时,关态击穿电压达到50V,开态击穿电压大于20V;器件的输出曲线在饱和区光滑,未呈现翘曲现象,说明体接触有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应。这种SOI LDMOS结构非常适合高温环境下功率电子方面的应用开发。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51380]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,杨文伟,宋朝瑞,等. SOI LDMOS功率器件的研究与制备[J]. 微处理机,2007(02). |
| APA | 程新红,杨文伟,宋朝瑞,俞跃辉,姜丽娟,&王芳.(2007).SOI LDMOS功率器件的研究与制备.微处理机(02). |
| MLA | 程新红,et al."SOI LDMOS功率器件的研究与制备".微处理机 .02(2007). |
入库方式： OAI收割
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