用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 冯高明 ; 刘波 ; 吴良才 ; 宋志棠 ; 封松林 ; 陈宝明 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 07 |
| 关键词 | 绝缘体上的硅 总剂量辐射 背沟道 掩埋氧化层 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51390]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯高明,刘波,吴良才,等. 用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能[J]. 半导体学报,2007(07). |
| APA | 冯高明,刘波,吴良才,宋志棠,封松林,&陈宝明.(2007).用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能.半导体学报(07). |
| MLA | 冯高明,et al."用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能".半导体学报 .07(2007). |
入库方式： OAI收割
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