光电导开关产生太赫兹电磁波双极特性分析
文献类型:期刊论文
作者 | 贾婉丽 ; 施卫 ; 纪卫莉 ; 马德明 |
刊名 | 物理学报 |
出版日期 | 2007 |
期号 | 07 |
ISSN号 | 1000-3290 |
关键词 | 垂直腔面发射激光器 离子注入 退火 |
中文摘要 | 利用光电导体产生太赫兹电磁波(THz波),THz远场辐射波形与光电导体材料的载流子寿命、偏置电场以及触发光有直接关系.用不同方法对低温GaAs(LT-GaAs)和半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关辐射的THz电磁波所呈现的双极特性进行了模拟计算.结果表明,LT-GaAs光电导开关辐射THz波呈现双极性的主要原因是光生载流子寿命小于一个THz波产生时间;而光生载流子寿命大于100ps的SI-GaAs光电导开关,在不同的实验条件(不同偏置电场、不同光脉冲能量)下,产生的THz波呈现双极特性的主要原因分 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-01-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51397] |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾婉丽,施卫,纪卫莉,等. 光电导开关产生太赫兹电磁波双极特性分析[J]. 物理学报,2007(07). |
APA | 贾婉丽,施卫,纪卫莉,&马德明.(2007).光电导开关产生太赫兹电磁波双极特性分析.物理学报(07). |
MLA | 贾婉丽,et al."光电导开关产生太赫兹电磁波双极特性分析".物理学报 .07(2007). |
入库方式: OAI收割
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