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用smart-cut方法制备GOI材料及研究

文献类型:期刊论文

作者詹达 ; 马小波 ; 刘卫丽 ; 朱鸣 ; 宋志棠
刊名功能材料与器件学报
出版日期2007
期号03
关键词SPR生物传感器 羧甲基化葡聚糖修饰表面 传感芯片再生 前列腺特异性抗原检测 动力学和亲和力
ISSN号1007-4252
中文摘要研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H+注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H+膨胀压力导致其全部脱落。利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H+的Ge片与热生长SiO2片的键合,通过热处理完成SiO2上的Ge薄膜转移,形成了GOI(Germanium-on-insulator)结构。采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、以及X射线四晶衍射对GOI的微结构进行了表征和分析。研究表明,获得的GOI中顶层Ge具有较好的
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51409]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
詹达,马小波,刘卫丽,等. 用smart-cut方法制备GOI材料及研究[J]. 功能材料与器件学报,2007(03).
APA 詹达,马小波,刘卫丽,朱鸣,&宋志棠.(2007).用smart-cut方法制备GOI材料及研究.功能材料与器件学报(03).
MLA 詹达,et al."用smart-cut方法制备GOI材料及研究".功能材料与器件学报 .03(2007).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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