用smart-cut方法制备GOI材料及研究
文献类型:期刊论文
作者 | 詹达 ; 马小波 ; 刘卫丽 ; 朱鸣 ; 宋志棠 |
刊名 | 功能材料与器件学报
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出版日期 | 2007 |
期号 | 03 |
关键词 | SPR生物传感器 羧甲基化葡聚糖修饰表面 传感芯片再生 前列腺特异性抗原检测 动力学和亲和力 |
ISSN号 | 1007-4252 |
中文摘要 | 研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H+注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H+膨胀压力导致其全部脱落。利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H+的Ge片与热生长SiO2片的键合,通过热处理完成SiO2上的Ge薄膜转移,形成了GOI(Germanium-on-insulator)结构。采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、以及X射线四晶衍射对GOI的微结构进行了表征和分析。研究表明,获得的GOI中顶层Ge具有较好的 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-01-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51409] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 詹达,马小波,刘卫丽,等. 用smart-cut方法制备GOI材料及研究[J]. 功能材料与器件学报,2007(03). |
APA | 詹达,马小波,刘卫丽,朱鸣,&宋志棠.(2007).用smart-cut方法制备GOI材料及研究.功能材料与器件学报(03). |
MLA | 詹达,et al."用smart-cut方法制备GOI材料及研究".功能材料与器件学报 .03(2007). |
入库方式: OAI收割
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