负介电常数材料与负磁导率材料双层结构的透射特性
文献类型:期刊论文
作者 | 董丽娟 ; 江海涛 ; 杨成全 ; 石云龙 |
刊名 | 物理学报
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出版日期 | 2007 |
期号 | 08 |
关键词 | 高端硅基材料 绝缘体上硅(SOI) 绝缘体上应变硅(sSOI) 绝缘体上锗(GOI) |
ISSN号 | 1000-3290 |
中文摘要 | 利用麦克斯韦方程组研究了负介电常数材料和负磁导率材料组成的双层结构的透射特性.电磁波在跨越负介电常数材料层和负磁导率材料层的界面时,由边界条件导致了电磁场的大部分能量局域在界面上,形成特殊的界面模式.研究结果表明,当入射角满足某个特定条件时,这些界面模可以演变为共振隧穿模,导致共振透射的发生.这种输运特性可以实现带通滤波. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-01-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51433] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 董丽娟,江海涛,杨成全,等. 负介电常数材料与负磁导率材料双层结构的透射特性[J]. 物理学报,2007(08). |
APA | 董丽娟,江海涛,杨成全,&石云龙.(2007).负介电常数材料与负磁导率材料双层结构的透射特性.物理学报(08). |
MLA | 董丽娟,et al."负介电常数材料与负磁导率材料双层结构的透射特性".物理学报 .08(2007). |
入库方式: OAI收割
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