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半绝缘GaAs光电导开关产生太赫兹波电场屏蔽效应的二维Monte Carlo模拟

文献类型:期刊论文

作者贾婉丽 ; 纪卫莉 ; 施卫
刊名物理学报
出版日期2007
期号04
ISSN号1000-3290
关键词锂离子电池 硅负极 固体电解质膜
中文摘要利用Ensemble-Monte Carlo模拟方法,对不同实验条件下半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关作为偶极辐射天线在辐射太赫兹电磁波(太赫兹波)中体内电场的分布以及空间电荷屏蔽效应对太赫兹波辐射的影响进行了模拟.载流子的时域空间电场分布表明:用高能量激光脉冲触发低压偏置的GaAs开关,空间电荷屏蔽是限制太赫兹波辐射功率的一个重要因素,并且空间电荷屏蔽能够引起太赫兹波呈现双极性.当高能量飞秒激光脉冲以全电极间隙触发大孔径光电导天线时,空间电荷电场屏蔽效应对太赫兹波的影响不大.
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51441]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
贾婉丽,纪卫莉,施卫. 半绝缘GaAs光电导开关产生太赫兹波电场屏蔽效应的二维Monte Carlo模拟[J]. 物理学报,2007(04).
APA 贾婉丽,纪卫莉,&施卫.(2007).半绝缘GaAs光电导开关产生太赫兹波电场屏蔽效应的二维Monte Carlo模拟.物理学报(04).
MLA 贾婉丽,et al."半绝缘GaAs光电导开关产生太赫兹波电场屏蔽效应的二维Monte Carlo模拟".物理学报 .04(2007).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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