SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑中山 ; 张恩霞 ; 刘忠立 ; 张正选 ; 李宁 ; 李国花 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 09 |
| 关键词 | 加速度传感器 非平行极板 阻尼 等效电学模型 阶跃响应 可靠工作范围 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋氧中注入4×1015cm-2剂量的氮后,与未注氮埋氧相比,注氮埋氧中的固定正电荷密度显著增加了;而对于埋氧层为375nm的SIMOX SOI材料来说,当注氮剂量分别为2×1015cm-2和3×1015cm-2时,并未发现埋氧中固定正电荷密度的增加.所有SIMOX注氮后的退火条件是完全相同的.通过SIMS分析,将薄埋氧中固定正电荷密度的增加归结为注氮后的退火所引 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51442]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑中山,张恩霞,刘忠立,等. SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响[J]. 物理学报,2007(09). |
| APA | 郑中山,张恩霞,刘忠立,张正选,李宁,&李国花.(2007).SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响.物理学报(09). |
| MLA | 郑中山,et al."SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响".物理学报 .09(2007). |
入库方式： OAI收割
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