基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙佳胤 ; 陈静 ; 王曦 ; 王建峰 ; 刘卫 ; 朱建军 ; 杨辉 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 微机械陀螺 x轴 音叉式陀螺 “8悬臂梁-质量块”结构 限制槽 (111)硅晶圆 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制。采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段。结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用。薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51453]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙佳胤,陈静,王曦,等. 基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制[J]. 功能材料与器件学报,2007(04). |
| APA | 孙佳胤.,陈静.,王曦.,王建峰.,刘卫.,...&杨辉.(2007).基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制.功能材料与器件学报(04). |
| MLA | 孙佳胤,et al."基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制".功能材料与器件学报 .04(2007). |
入库方式： OAI收割
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