氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋朝瑞 ; 程新红 ; 张恩霞 ; 邢玉梅 ; 俞跃辉 ; 郑志宏 ; 沈勤我 ; 张正选 ; 王曦 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 08 |
| 关键词 | 注氧隔离 绝缘体上硅 总剂量辐射效应 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 中文摘要 | 本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微观角度探讨了氮元素对改进高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的作用机理。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51457]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋朝瑞,程新红,张恩霞,等. 氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究[J]. 核技术,2007(08). |
| APA | 宋朝瑞.,程新红.,张恩霞.,邢玉梅.,俞跃辉.,...&王曦.(2007).氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究.核技术(08). |
| MLA | 宋朝瑞,et al."氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究".核技术 .08(2007). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。