截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金智 ; 程伟 ; 刘新宇 ; 徐安怀 ; 齐鸣 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 10 |
| 关键词 | 薄膜锂电池 溶胶凝胶法 LiMn2O4膜 Pt片 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管(HBT).发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺,实现了亚微米的InP基HBT.发射极宽度的减小有效提高了频率特性,发射极面积为0.8μm×15μm的HBT的电流增益截止频率达到了238GHz.发展了基极-集电极的侧向过腐蚀工艺,有效减小了结面积,提高了最大振荡频率.Kirk电流密度达到了3.1mA/μm2.据我们所知,电流增益截止频率是目前国内三端器件中最高的,Kirk电流密度是国内报道的HBT中最高的.这对于HBT器件在超高速电路中的应用具有 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51473]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金智,程伟,刘新宇,等. 截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)[J]. 半导体学报,2008(10). |
| APA | 金智,程伟,刘新宇,徐安怀,&齐鸣.(2008).截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文).半导体学报(10). |
| MLA | 金智,et al."截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)".半导体学报 .10(2008). |
入库方式： OAI收割
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