原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙凌 ; 高超 ; 杨华岳 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 09 |
| 关键词 | 碳基超电容 双电层电容器 活性炭 MH/Ni电池 复合电源系统 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 介绍了基于原位水汽生长工艺的超薄栅介质膜的可靠性研究。通过电荷泵测试,对工艺参数与界面态密度的关系进行了定性的分析,然后通过热载流子退化和经时击穿的测试对原位水汽生长栅介质膜的可靠性进行了研究。通过测试发现,提高生长温度或减小氢气在反应气体中的比重可以获得更好的界面特性和可靠性,原位水汽生长工艺存在进一步提高的空间。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51475]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙凌,高超,杨华岳. 原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究[J]. 半导体技术,2008(09). |
| APA | 孙凌,高超,&杨华岳.(2008).原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究.半导体技术(09). |
| MLA | 孙凌,et al."原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究".半导体技术 .09(2008). |
入库方式： OAI收割
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