相变随机存储器材料与结构设计最新进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘波 ; 宋志棠 ; 封松林 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 09 |
| 关键词 | 锂离子蓄电池 红外成像 高倍率放电 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 介绍了相变随机存储器(PCRAM)的研究现状,包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等。分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点,介绍了PCRAM这一新型半导体存储器的基本原理、特点以及国内外有关相变材料、过渡层材料和器件结构设计等方面的研究进展,最后提出了我国发展PCRAM的几点思考。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51485]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘波,宋志棠,封松林. 相变随机存储器材料与结构设计最新进展[J]. 半导体技术,2008(09). |
| APA | 刘波,宋志棠,&封松林.(2008).相变随机存储器材料与结构设计最新进展.半导体技术(09). |
| MLA | 刘波,et al."相变随机存储器材料与结构设计最新进展".半导体技术 .09(2008). |
入库方式： OAI收割
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