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InGaAs/InAlAs异质结的H_3PO_4/H_2O_2系的湿法腐蚀

文献类型:期刊论文

作者田招兵 ; 张永刚 ; 李爱珍 ; 顾溢
刊名功能材料与器件学报
出版日期2008
期号04
关键词高分辨X射线衍射 InGaAs InAlAs 错向角 摇摆曲线 倒空间mapping
ISSN号1007-4252
中文摘要采用了H3PO4/H2O2系化学腐蚀液对GSMBE外延的InGaAs/InP和InA lAs/InP材料湿法腐蚀特性进行了研究,研究了不同浓度和配比对于腐蚀速率和形貌影响。结果表明该腐蚀液体系具有良好的均匀性,腐蚀速率随浓度呈指数关系,表面形貌基本不受浓度影响。在增加腐蚀液中双氧水含量时,腐蚀速率先增大后减小,表面形貌良好;增加磷酸浓度腐蚀速率亦有增大趋势,表面出现尖锥状小丘。并对腐蚀液配比变化对腐蚀特性影响及腐蚀机理进行了讨论分析。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51489]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
田招兵,张永刚,李爱珍,等. InGaAs/InAlAs异质结的H_3PO_4/H_2O_2系的湿法腐蚀[J]. 功能材料与器件学报,2008(04).
APA 田招兵,张永刚,李爱珍,&顾溢.(2008).InGaAs/InAlAs异质结的H_3PO_4/H_2O_2系的湿法腐蚀.功能材料与器件学报(04).
MLA 田招兵,et al."InGaAs/InAlAs异质结的H_3PO_4/H_2O_2系的湿法腐蚀".功能材料与器件学报 .04(2008).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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