基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙立宁 ; 王家畴 ; 荣伟彬 ; 李欣昕 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 08 |
| 关键词 | 质心法 最优门限 亚像素 定位 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题,研究了一种可用于面内运动位移检测的传感器,提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法.侧壁压阻式位移传感器的灵敏度比在检测梁表面制作压阻的传统位移传感器高近一倍.同时把位移传感器集成到基于体硅工艺的纳米级定位平台上,实验测试表明,这种位移传感器加工技术可以很容易地与其他工艺相兼容,位移传感器的灵敏度优于0.903mV/μm,线形度优于0.814%,分辨率优于12.3nm. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51506]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙立宁,王家畴,荣伟彬,等. 基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用[J]. 半导体学报,2008(08). |
| APA | 孙立宁,王家畴,荣伟彬,&李欣昕.(2008).基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用.半导体学报(08). |
| MLA | 孙立宁,et al."基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用".半导体学报 .08(2008). |
入库方式： OAI收割
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