高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王俊 ; 王磊 ; 董业民 ; 邹欣 ; 邵丽 ; 李文军 ; 杨华岳 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 07 |
| 关键词 | 离子注入 光致发光 量子阱互混 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS,DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线(Ib-Vg曲线)有两个峰.通过实验和TCAD模拟揭示了DDDMOS衬底电流的形成机理,发现衬底电流第一个峰的成因与传统MOS器件相同;第二个峰来自于发生在漂移区远离沟道一侧高场区的碰撞离化电流.通过求解泊松方程和电流连续性方程,分析了器件的物理和几何参数对导致衬底电流重新上升的漂移区电场的影响.在分析了DDDMOS衬底 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51516]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,王磊,董业民,等. 高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响[J]. 物理学报,2008(07). |
| APA | 王俊.,王磊.,董业民.,邹欣.,邵丽.,...&杨华岳.(2008).高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响.物理学报(07). |
| MLA | 王俊,et al."高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响".物理学报 .07(2008). |
入库方式： OAI收割
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