纳米相变存储技术研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋志棠 ; 刘波 ; 封松林 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 衬底电流 双强电场模型 衬底电流公式 热载流子注入 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 相变存储技术是纳电子器件发展的主流技术之一,利用其电脉冲操作下的纳秒级的可逆相变过程制备的相变存储器(PCRAM),在嵌入式与大容量存储方面有巨大的商用价值与应用前景,已成为国际大公司开发的热点,PCRAM芯片容量与技术以超常规的速度发展,同时,针对纳米尺度的可逆相变机理、纳米尺度可逆相变的有效控制、低功耗的器件结构、已成为国际上科研界的研究热点,本文对上述情况进行综述,进一步给出我国的PCRAM的研究现状、工业基础、合作状况与展望。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51519]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋志棠,刘波,封松林. 纳米相变存储技术研究进展[J]. 功能材料与器件学报,2008(01). |
| APA | 宋志棠,刘波,&封松林.(2008).纳米相变存储技术研究进展.功能材料与器件学报(01). |
| MLA | 宋志棠,et al."纳米相变存储技术研究进展".功能材料与器件学报 .01(2008). |
入库方式： OAI收割
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