CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨恒昭 ; 熊斌 ; 李铁 ; 王跃林 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 09 |
| 关键词 | 镁合金 微弧氧化 微观结构 耐蚀性 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 提出了一种CMOS工艺兼容的、并采用XeF2气体干法刻蚀工艺释放的热电堆红外探测器。探测器包括硅基体、框架、热电堆、支撑臂、红外吸收层、刻蚀开口等。作为红外吸收层的氧化硅/氮化硅复合介质膜具有多种形状的腐蚀开口,使用各向同性的干法刻蚀从正面刻蚀衬底释放器件。探测器尺寸为2 mm×2 mm,由20对多晶硅-铝热电偶组成,串联电阻16~18 kΩ。释放后的器件特性响应率13~15 V/W,探测率(1.85~2.15)×107cmHz1/2/W,时间常数20~25 ms。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51530]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨恒昭,熊斌,李铁,等. CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器[J]. 半导体技术,2008(09). |
| APA | 杨恒昭,熊斌,李铁,&王跃林.(2008).CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器.半导体技术(09). |
| MLA | 杨恒昭,et al."CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器".半导体技术 .09(2008). |
入库方式： OAI收割
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