应用于超薄栅氧化CMOS器件的两种电荷泵改进技术的比较(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王庆学 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 堆垛无序 石墨 X射线衍射 层错层宽化效应 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 本文提出了High-lowmulti-frequency(HLMF)和Average bottom-top-pulse(ABTP)两种电荷泵改进技术,用于提高表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷的精度。结果表明,在电荷泵技术测量过程中,这两种改进技术能非常有效地扣除漏电流。同时,也分析了电荷泵电流曲线的几个典型特性。由于ABTP技术是用静态模式测量漏电流,所以,在大的负Vbase端,电荷泵电流曲线的尾部出现大的波动。通过比较,我们发现HLMF具有更高的精度,可以作为用于提升表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51536]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王庆学. 应用于超薄栅氧化CMOS器件的两种电荷泵改进技术的比较(英文)[J]. 功能材料与器件学报,2008(03). |
| APA | 王庆学.(2008).应用于超薄栅氧化CMOS器件的两种电荷泵改进技术的比较(英文).功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 王庆学."应用于超薄栅氧化CMOS器件的两种电荷泵改进技术的比较(英文)".功能材料与器件学报 .03(2008). |
入库方式： OAI收割
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