铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱大鹏 ; 罗乐 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 量子阱结构 半导体激光器 带间跃迁 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 在铝阳极氧化多层基板内用RF反应溅射制备了埋置型Ta-N薄膜电阻,研究了铝阳极氧化过程对Ta-N薄膜电阻和显微结构的影响.实验结果表明:Ta-N薄膜受上层多孔氧化铝膜影响在表层形成了由Ta2O5和Ta-O-N组成的氧化物凸起绝缘层,氧化物凸起层厚度与氧化电压有关.底层Ta-N薄膜电阻率和电阻温度系数基本保持不变,表层氧化凸起使电阻稳定性增加. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51553]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱大鹏,罗乐. 铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响[J]. 半导体学报,2008(04). |
| APA | 朱大鹏,&罗乐.(2008).铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响.半导体学报(04). |
| MLA | 朱大鹏,et al."铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响".半导体学报 .04(2008). |
入库方式： OAI收割
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