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微尺寸SnAg凸点中孔洞生长机理的研究

文献类型:期刊论文

作者林小芹 ; 罗乐
刊名稀有金属材料与工程
出版日期2008
期号11
关键词储氢合金 ADμC848控制器 PCT测试 K型热电偶 数据采集
ISSN号1002-185X
中文摘要采用电镀的方法在制备了尺寸小于100μm的Sn-3.0Ag凸点,研究了多次回流和时效过程下SnAg/Cu界面IMC的生长、孔洞的生长机理和分布以及影响因素。结果表明,回流过程中孔洞形成的主要原因是相变过程发生的体积缩减,而时效过程中孔洞形成的主要原因是柯肯达尔效应。时效过程中Cu3Sn(ε相)中孔洞的生长及分布受初始形成的Cu6Sn5(η相)影响。厚η相及η晶界处形成的孔洞促进ε相中孔洞的生长。平直的ε相/Cu界面以及ε相层内孔洞的连接对凸点的长期可靠性构成威胁。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51555]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
林小芹,罗乐. 微尺寸SnAg凸点中孔洞生长机理的研究[J]. 稀有金属材料与工程,2008(11).
APA 林小芹,&罗乐.(2008).微尺寸SnAg凸点中孔洞生长机理的研究.稀有金属材料与工程(11).
MLA 林小芹,et al."微尺寸SnAg凸点中孔洞生长机理的研究".稀有金属材料与工程 .11(2008).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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