电子束蒸发玻璃薄膜中间层的阳极键合研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 沈伟东 ; 吴亚明 ; 章岳光 ; 刘旭 ; 顾培夫 |
| 刊名 | 真空科学与技术学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 微位移 静电计 电容 可动电极 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 中文摘要 | 介绍了一种用电子束蒸发Schott 8329玻璃薄膜作为中间层,实现硅-硅以及硅-SOI阳极键合的方法。调整蒸发时的工艺并且450℃退火,沉积了粗糙度9.62 nm、初始应力139 MPa、喷点较少的薄膜,从而获得了>95%的键合面积。键合电压20 V,温度300℃~500℃下硅-硅的键合强度可达1.47 J/m2,同时分析了键合电流特性。400℃,40V下键合了Si和SIMOXSOI硅片,用TMAH溶液进行基底减薄,获得了厚介质层薄顶层硅结构,这为一些MEMS器件的制作奠定了基础。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51558]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈伟东,吴亚明,章岳光,等. 电子束蒸发玻璃薄膜中间层的阳极键合研究[J]. 真空科学与技术学报,2008(02). |
| APA | 沈伟东,吴亚明,章岳光,刘旭,&顾培夫.(2008).电子束蒸发玻璃薄膜中间层的阳极键合研究.真空科学与技术学报(02). |
| MLA | 沈伟东,et al."电子束蒸发玻璃薄膜中间层的阳极键合研究".真空科学与技术学报 .02(2008). |
入库方式： OAI收割
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