基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐成 ; 刘波 ; 冯高明 ; 吴良才 ; 宋志棠 ; 封松林 ; Bomy Chen |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | MiWAVE 唐家山 实时监控 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阈值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51571]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐成,刘波,冯高明,等. 基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能[J]. 功能材料与器件学报,2008(03). |
| APA | 徐成.,刘波.,冯高明.,吴良才.,宋志棠.,...&Bomy Chen.(2008).基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 徐成,et al."基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能".功能材料与器件学报 .03(2008). |
入库方式： OAI收割
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