InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 田招兵 ; 张永刚 ; 顾溢 ; 祝向荣 ; 郑燕兰 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 液滴撞击 颗粒去除 拽力 升力 可湿性 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进行了比较和分析。实验结果表明,气态源分子束外延材料具有良好的均匀性;氮化硅钝化器件总体性能上优于聚酰亚胺钝化器件。引线封装实验显示,SiN钝化膜有较好的抗冲击和热稳定性,具有更好的工艺相容性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51582]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田招兵,张永刚,顾溢,等. InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究[J]. 半导体光电,2008(01). |
| APA | 田招兵,张永刚,顾溢,祝向荣,&郑燕兰.(2008).InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究.半导体光电(01). |
| MLA | 田招兵,et al."InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究".半导体光电 .01(2008). |
入库方式： OAI收割
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