高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 戴明志 ; 刘韶华 ; 程波 ; 李虹 ; 叶景良 ; 王俊 ; 江柳 ; 廖宽仰 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | PDMS 塑性成型 SU-8模具 黏附性 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件设计的可靠性尤为重要.高压器件的ISUB随栅极电压变化在峰值后再次升高.然而在普通低压器件的经典特征曲线中,ISUB仅呈现一个峰.高压器件的ISUB再次升高及其相关的可靠性问题成为新的研究热点.最广为接受的理论(Kirk effect)认为,ISUB再次升高是因为栅控 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51596]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 戴明志,刘韶华,程波,等. 高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应[J]. 半导体学报,2008(04). |
| APA | 戴明志.,刘韶华.,程波.,李虹.,叶景良.,...&廖宽仰.(2008).高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应.半导体学报(04). |
| MLA | 戴明志,et al."高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应".半导体学报 .04(2008). |
入库方式： OAI收割
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