蚀刻腔条件对刻蚀工艺的影响研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈乐乐 ; 朱亮 ; 包大勇 ; 季高明 ; 蔡辉 ; 李东霞 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 12 |
| 关键词 | 时频分析 Wigner-Hough变换 车流量检测雷达 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 在ULSI制造中蚀刻腔条件的变化是导致刻蚀工艺重复性差的一个重要原因。在刻蚀过程中,一层聚合物会淀积在蚀刻腔壁上。通过XPS分析得知,聚合物的主要成分为(CF2)n。实验过程发现不同的聚合物量会影响等离子体中CF2基团的浓度。聚合物越多,CF2浓度越高;反之,聚合物越少,CF2浓度就越低。在这种情况下,蚀刻腔上的聚合物被认为是等离子中CF2基团的一个源。CF2浓度的变化又导致最终刻蚀特性(CD,蚀刻率)的变化和工艺漂移。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51615]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈乐乐,朱亮,包大勇,等. 蚀刻腔条件对刻蚀工艺的影响研究[J]. 半导体技术,2008(12). |
| APA | 陈乐乐,朱亮,包大勇,季高明,蔡辉,&李东霞.(2008).蚀刻腔条件对刻蚀工艺的影响研究.半导体技术(12). |
| MLA | 陈乐乐,et al."蚀刻腔条件对刻蚀工艺的影响研究".半导体技术 .12(2008). |
入库方式： OAI收割
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