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WSi_x沉积前清洗中一种失效现象及改进方法

文献类型:期刊论文

作者孙震海 ; 郭国超 ; 韩瑞津
刊名半导体技术
出版日期2008
期号03
关键词60吉赫 无线通信 宽带 射频 收发机 芯片
ISSN号1003-353X
中文摘要研究并讨论了在WSix制备的前清洗中,用气态氟化氢(HF)清洗时,多晶硅表面有从其体内析出的含磷物,这种析出物很容易跟气态HF中的微量水汽结合,形成HPO3晶体。这样的晶体在Si片表面不容易被检测到,却可以很大程度地影响芯片的良率。本系统观测了这一现象,解释了这种失效的机制,并且给出这种失效模式的解决方案。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51619]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
孙震海,郭国超,韩瑞津. WSi_x沉积前清洗中一种失效现象及改进方法[J]. 半导体技术,2008(03).
APA 孙震海,郭国超,&韩瑞津.(2008).WSi_x沉积前清洗中一种失效现象及改进方法.半导体技术(03).
MLA 孙震海,et al."WSi_x沉积前清洗中一种失效现象及改进方法".半导体技术 .03(2008).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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