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波长延伸(1.7~2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制

文献类型:期刊论文

作者张永刚 ; 顾溢 ; 王凯 ; 李成 ; 李爱珍 ; 郑燕兰
刊名红外与激光工程
出版日期2008
期号S3
关键词氧化铟锡玻璃 湿法刻蚀 钻蚀效应 细胞培养
ISSN号1007-2276
中文摘要采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51621]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
张永刚,顾溢,王凯,等. 波长延伸(1.7~2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制[J]. 红外与激光工程,2008(S3).
APA 张永刚,顾溢,王凯,李成,李爱珍,&郑燕兰.(2008).波长延伸(1.7~2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制.红外与激光工程(S3).
MLA 张永刚,et al."波长延伸(1.7~2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制".红外与激光工程 .S3(2008).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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