波长延伸(1.7~2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制
文献类型:期刊论文
作者 | 张永刚 ; 顾溢 ; 王凯 ; 李成 ; 李爱珍 ; 郑燕兰 |
刊名 | 红外与激光工程
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出版日期 | 2008 |
期号 | S3 |
关键词 | 氧化铟锡玻璃 湿法刻蚀 钻蚀效应 细胞培养 |
ISSN号 | 1007-2276 |
中文摘要 | 采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-01-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51621] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张永刚,顾溢,王凯,等. 波长延伸(1.7~2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制[J]. 红外与激光工程,2008(S3). |
APA | 张永刚,顾溢,王凯,李成,李爱珍,&郑燕兰.(2008).波长延伸(1.7~2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制.红外与激光工程(S3). |
MLA | 张永刚,et al."波长延伸(1.7~2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制".红外与激光工程 .S3(2008). |
入库方式: OAI收割
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