60GHz高增益宽带单片集成低噪声放大器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 侯阳 ; 张健 ; 李凌云 ; 孙晓玮 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 07 |
| 关键词 | 无线Mesh网 无缝切换 平面路由 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑结构以获得高增益.芯片尺寸2mm×1mm.实测性能指标为:工作频段45~65GHz,增益18±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比小于2.3,直流功耗96mW.在增益、带宽和功耗上达到国际现有产品指标.该芯片可被应用于60GHz宽带无线通信系统. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51631]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 侯阳,张健,李凌云,等. 60GHz高增益宽带单片集成低噪声放大器[J]. 半导体学报,2008(07). |
| APA | 侯阳,张健,李凌云,&孙晓玮.(2008).60GHz高增益宽带单片集成低噪声放大器.半导体学报(07). |
| MLA | 侯阳,et al."60GHz高增益宽带单片集成低噪声放大器".半导体学报 .07(2008). |
入库方式： OAI收割
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