外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王立敏 ; 曹俊诚 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 07 |
| 关键词 | 传感器网络 射频模块 直接变频 特高频 正交频分复用 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.因此通过改变磁场能够对HEMT的振荡响应实现有效调谐. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51633]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立敏,曹俊诚. 外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性[J]. 半导体学报,2008(07). |
| APA | 王立敏,&曹俊诚.(2008).外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性.半导体学报(07). |
| MLA | 王立敏,et al."外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性".半导体学报 .07(2008). |
入库方式： OAI收割
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