微尺寸SnAg凸点的制备技术及其互连可靠性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林小芹 ; 朱大鹏 ; 罗乐 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | DPI 协同验证 星载计算机 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 用电镀法制备了尺寸小于100μm的面阵列Sn-3.0Ag凸点.芯片内凸点的高度一致性约1.42%,Φ100mm硅圆片内的高度一致性约3.57%,Ag元素在凸点中分布均匀.研究了不同回流次数下SnAg/Cu的界面反应和孔洞形成机理,及其对凸点连接可靠性的影响.回流过程中SnAg与Cu之间Cu6Sn5相的生长与奥氏熟化过程相似.SnAg/Cu6Sn5界面中孔洞形成的主要原因是相转变过程中发生的体积缩减.凸点的剪切强度随着回流次数的增多而增大,且多次回流后SnAg/Cu界面仍然结合牢固.Cu6Sn5/Cu平直界 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51647]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林小芹,朱大鹏,罗乐. 微尺寸SnAg凸点的制备技术及其互连可靠性[J]. 半导体学报,2008(01). |
| APA | 林小芹,朱大鹏,&罗乐.(2008).微尺寸SnAg凸点的制备技术及其互连可靠性.半导体学报(01). |
| MLA | 林小芹,et al."微尺寸SnAg凸点的制备技术及其互连可靠性".半导体学报 .01(2008). |
入库方式： OAI收割
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