GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀
文献类型:期刊论文
作者 | 林玲 ; 王伟 ; 徐安怀 ; 孙晓玮 ; 齐鸣 |
刊名 | 功能材料与器件学报
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出版日期 | 2008 |
期号 | 03 |
关键词 | 微机电系统 侧壁压阻 定位平台 反应离子刻蚀 位移传感器 |
ISSN号 | 1007-4252 |
中文摘要 | 对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表面平整度,同时侧向腐蚀也较小。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-01-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51659] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 林玲,王伟,徐安怀,等. GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀[J]. 功能材料与器件学报,2008(03). |
APA | 林玲,王伟,徐安怀,孙晓玮,&齐鸣.(2008).GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀.功能材料与器件学报(03). |
MLA | 林玲,et al."GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀".功能材料与器件学报 .03(2008). |
入库方式: OAI收割
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