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GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀

文献类型:期刊论文

作者林玲 ; 王伟 ; 徐安怀 ; 孙晓玮 ; 齐鸣
刊名功能材料与器件学报
出版日期2008
期号03
关键词微机电系统 侧壁压阻 定位平台 反应离子刻蚀 位移传感器
ISSN号1007-4252
中文摘要对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表面平整度,同时侧向腐蚀也较小。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51659]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
林玲,王伟,徐安怀,等. GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀[J]. 功能材料与器件学报,2008(03).
APA 林玲,王伟,徐安怀,孙晓玮,&齐鸣.(2008).GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀.功能材料与器件学报(03).
MLA 林玲,et al."GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀".功能材料与器件学报 .03(2008).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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