高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王俊 ; 董业民 ; 邹欣 ; 邵丽 ; 李文军 ; 杨华岳 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 电容检测 光电检测 热机械噪声 电学噪声 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管。观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰。实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有一定的影响。利用TCAD模拟解释了DDDMOS第二个衬底电流峰的形成机制,并通过求解泊松方程和电流连续性方程分析了器件的物理和几何参数与第二个衬底电流峰之间的关系。根据分析的结果优化了制造工艺,降低了DDDMOS的衬底电流,提高了器件的可靠性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51673]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,董业民,邹欣,等. 高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化[J]. 半导体技术,2008(04). |
| APA | 王俊,董业民,邹欣,邵丽,李文军,&杨华岳.(2008).高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化.半导体技术(04). |
| MLA | 王俊,et al."高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化".半导体技术 .04(2008). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。