f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程伟 ; 金智 ; 刘新宇 ; 于进勇 ; 徐安怀 ; 齐鸣 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 星载软件 操作系统 微内核 在轨注入 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4μm×15μm的器件,其ft达到210GHz.这种器件非常适合高速低功耗方面的应用,例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51678]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程伟,金智,刘新宇,等. f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文)[J]. 半导体学报,2008(03). |
| APA | 程伟,金智,刘新宇,于进勇,徐安怀,&齐鸣.(2008).f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文).半导体学报(03). |
| MLA | 程伟,et al."f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文)".半导体学报 .03(2008). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。