基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梅斌 ; 徐刚毅 ; 李爱珍 ; 李华 ; 李耀耀 ; 魏林 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 微机械陀螺 传感器模型 接口电路 模拟 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料。通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计。通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料。利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度,通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51690]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梅斌,徐刚毅,李爱珍,等. 基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析(英文)[J]. 功能材料与器件学报,2008(05). |
| APA | 梅斌,徐刚毅,李爱珍,李华,李耀耀,&魏林.(2008).基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析(英文).功能材料与器件学报(05). |
| MLA | 梅斌,et al."基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析(英文)".功能材料与器件学报 .05(2008). |
入库方式： OAI收割
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