基于等离子体氮化工艺的超薄栅氧化膜的电学特性和可靠性(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙凌 ; 刘薇 ; 段振永 ; 许忠义 ; 杨华岳 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 11 |
| 关键词 | 集成电路技术 汽车防撞雷达 倒扣技术 平衡混频器 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 介绍了利用MMT等离子体氮化工艺和炉管NO退火氮化工艺制备的超薄栅介质膜的电学特性和可靠性.结合两种氮化工艺在栅介质膜中形成了双峰和单峰的氮分布.通过漏极电流、沟道载流子和TDDB的测试,发现栅介质膜中双峰的氮分布可以有效提高器件的电学特性,更为重要的是可以极大提高器件的击穿特性.这指明了延长掺氮氧化膜在超大规模集成电路器件栅介质层中应用的寿命,使之有可能进一步跟上技术的发展. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51709]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙凌,刘薇,段振永,等. 基于等离子体氮化工艺的超薄栅氧化膜的电学特性和可靠性(英文)[J]. 半导体学报,2008(11). |
| APA | 孙凌,刘薇,段振永,许忠义,&杨华岳.(2008).基于等离子体氮化工艺的超薄栅氧化膜的电学特性和可靠性(英文).半导体学报(11). |
| MLA | 孙凌,et al."基于等离子体氮化工艺的超薄栅氧化膜的电学特性和可靠性(英文)".半导体学报 .11(2008). |
入库方式： OAI收割
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