波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 田招兵 ; 顾溢 ; 张晓钧 ; 张永刚 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 电容式加速度传感器 硅硅键合 圆片级真空封装 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行了研究,模拟结果与采用GSMBE方法研制器件的实测数据吻合较好。此外,还提出了两种改良的背照射InGaAs探测器结构,并对其光响应特性进行了模拟计算,还基于模拟结果对器件结构参数进行了优化设计。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51735]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田招兵,顾溢,张晓钧,等. 波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化[J]. 半导体光电,2008(06). |
| APA | 田招兵,顾溢,张晓钧,&张永刚.(2008).波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化.半导体光电(06). |
| MLA | 田招兵,et al."波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化".半导体光电 .06(2008). |
入库方式： OAI收割
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