多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李睿 ; 王俊 ; 孔蔚然 ; 马惠平 ; 浦晓栋 ; 莘海维 ; 王庆东 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 薄膜物理学 ZrO2薄膜 脉冲激光沉积法 衬底温度 结晶结构 电学性能 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理。通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致。TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻。我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51753]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李睿,王俊,孔蔚然,等. 多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析(英文)[J]. 功能材料与器件学报,2008(05). |
| APA | 李睿.,王俊.,孔蔚然.,马惠平.,浦晓栋.,...&王庆东.(2008).多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析(英文).功能材料与器件学报(05). |
| MLA | 李睿,et al."多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析(英文)".功能材料与器件学报 .05(2008). |
入库方式： OAI收割
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