适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管仿真(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 肖德元 ; 谢志峰 ; 季明华 ; 王曦 ; 俞跃辉 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 电感 π模型 Q值 谐振 衬底损耗 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 提出了一种适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管.报道了圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程.与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比,该器件特别适用于解决常规鳍形场效应管器件所面临的问题,进一步提高器件性能及按比例缩小能力.技术仿真结果显示,圆柱体全包围栅场效应管具备许多常规鳍形场效应管器件,其中包括长方体全包围栅场效应管所不具备的优点.就圆柱体全包围栅场效应管器件结构而言,该器件由无数多个将圆柱体形沟道全部包围的栅所控制.由于克服了由不对称场的积 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51761]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖德元,谢志峰,季明华,等. 适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管仿真(英文)[J]. 半导体学报,2008(03). |
| APA | 肖德元,谢志峰,季明华,王曦,&俞跃辉.(2008).适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管仿真(英文).半导体学报(03). |
| MLA | 肖德元,et al."适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管仿真(英文)".半导体学报 .03(2008). |
入库方式： OAI收割
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