利用压印技术制备大面积相变材料阵列
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘彦伯 ; 钮晓鸣 ; 宋志棠 ; 闵国全 ; 万永中 ; 张静 ; 周伟民 ; 李小丽 ; 张挺 ; 张剑平 |
| 刊名 | 微细加工技术
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 太赫兹波 太赫兹量子阱探测器 光伏探测 热分辨率 |
| ISSN号 | 1003-8213 |
| 中文摘要 | 采用高效、低成本的紫外压印技术(UV-IL)在2 in.Si/Si O2基Ti/Ti N/Si2Sb2Te5(SST)多层膜表面制备了密度为3.8 M/In2的AMONIL点阵结构,并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵列;电阻与脉冲宽度特性测得SST基PCRAM存储单元SET/RESET电阻值变化约30倍,I-V特性表明,阈值电压为1.18 V。此外,时间分辨XRD原位加热情况下SST薄膜结构变化说明,SST材料的相变发生在200℃~300℃之间。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51763]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘彦伯,钮晓鸣,宋志棠,等. 利用压印技术制备大面积相变材料阵列[J]. 微细加工技术,2008(05). |
| APA | 刘彦伯.,钮晓鸣.,宋志棠.,闵国全.,万永中.,...&张剑平.(2008).利用压印技术制备大面积相变材料阵列.微细加工技术(05). |
| MLA | 刘彦伯,et al."利用压印技术制备大面积相变材料阵列".微细加工技术 .05(2008). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。