平面光路中交叉波导的损耗和串扰研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 万助军 ; 袁菁 ; 吴亚明 ; 罗风光 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 等离子体氮化 迁移率 时变击穿 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 在大规模平面光路器件的布版中不可避免地会发生光波导交叉情况,交叉波导引入的损耗和串扰随交叉角度的变化而变化。文章围绕这个问题制作了硅基二氧化硅交叉波导样品并进行了损耗及串扰测试,结果表明,采用大于25°的交叉角度,可使每个交叉点的损耗小于0.1 dB,串扰小于-40 dB,满足器件的设计要求。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51793]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万助军,袁菁,吴亚明,等. 平面光路中交叉波导的损耗和串扰研究[J]. 半导体光电,2008(04). |
| APA | 万助军,袁菁,吴亚明,&罗风光.(2008).平面光路中交叉波导的损耗和串扰研究.半导体光电(04). |
| MLA | 万助军,et al."平面光路中交叉波导的损耗和串扰研究".半导体光电 .04(2008). |
入库方式： OAI收割
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