GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘盛 ; 张永刚 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 电容式传感器 MEMS 信号调理 检测电路 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 采用一维方势阱模型对GaSb/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2~3μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51803]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘盛,张永刚. GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计[J]. 功能材料与器件学报,2008(03). |
| APA | 刘盛,&张永刚.(2008).GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 刘盛,et al."GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计".功能材料与器件学报 .03(2008). |
入库方式： OAI收割
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