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三维柔性神经微电极阵列的制作

文献类型:期刊论文

作者孙晓娜 ; 周洪波 ; 李刚 ; 朱壮晖 ; 姚源 ; 赵建龙 ; 任秋实
刊名光学精密工程
出版日期2008
期号08
关键词芯片断裂 不流动胶 封装翘曲 能量释放率 应力强度因子
ISSN号1004-924X
中文摘要提出了一种三维凸起柔性神经微电极阵列的制作方法。该方法以光敏性聚酰亚胺(Durimide 7510)为基质材料,以各向异性刻蚀的硅为模具,结合微注模、金属微图形化和牺牲层电化学释放技术制作三维凸起柔性微电极,并通过数值模拟、形貌观测和电学性能测试对制备的微电极进行了评价。利用上述方法制备了具有4×4电极位点阵列的三维柔性神经微电极,每个电极位点大小为60μm×60μm,高度约37μm。阻抗测试显示,1 kHz时三维凸起电极位点的阻抗比传统的相同大小的平面微电极阵列约降低63%。结果表明,该电极的凸起特点可
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51805]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
孙晓娜,周洪波,李刚,等. 三维柔性神经微电极阵列的制作[J]. 光学精密工程,2008(08).
APA 孙晓娜.,周洪波.,李刚.,朱壮晖.,姚源.,...&任秋实.(2008).三维柔性神经微电极阵列的制作.光学精密工程(08).
MLA 孙晓娜,et al."三维柔性神经微电极阵列的制作".光学精密工程 .08(2008).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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