基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王家畴 ; 荣伟彬 ; 李昕欣 ; 孙立宁 |
| 刊名 | 光学精密工程
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 无线传感网 分簇 负载平衡 |
| ISSN号 | 1004-924X |
| 中文摘要 | 针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减少失效的方法。同时,提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法。通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2.5μm,厚度为50μm的梳齿结构。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51811]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王家畴,荣伟彬,李昕欣,等. 基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析[J]. 光学精密工程,2008(04). |
| APA | 王家畴,荣伟彬,李昕欣,&孙立宁.(2008).基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析.光学精密工程(04). |
| MLA | 王家畴,et al."基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析".光学精密工程 .04(2008). |
入库方式： OAI收割
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