InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器的量子效率优化(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 田招兵 ; 顾溢 ; 张永刚 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 3D-MCM 热设计 高密度基板 倒装焊 引线键合 |
| ISSN号 | 1001-9014 |
| 中文摘要 | 建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子效率的影响.在此基础上提出了两种改进的背照射InGaAs/InP探测器结构,并讨论了其结构参数的优化. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51833]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田招兵,顾溢,张永刚. InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器的量子效率优化(英文)[J]. 红外与毫米波学报,2008(02). |
| APA | 田招兵,顾溢,&张永刚.(2008).InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器的量子效率优化(英文).红外与毫米波学报(02). |
| MLA | 田招兵,et al."InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器的量子效率优化(英文)".红外与毫米波学报 .02(2008). |
入库方式： OAI收割
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