工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李睿 ; 王庆东 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 07 |
| 关键词 | 纳米材料 微结构 微晶形状和大小 微应变(力) 堆垛层错 XRD 最小二乘方法 计算程序 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 随着CMOS器件的不断微缩,硅有源区面积的缩小,工艺导致的机械应力对器件的影响越来越显著,许多工艺步骤会造成有源区应力的累积.应力不仅导致器件性能对版图产生依赖性,而且带来各种可靠性问题,影响芯片的长期使用寿命.在很多情况下,应力相关的问题直接影响芯片制造的良率.在总结各种应力来源的基础上,回顾了到目前为止人们所观察或理解的应力对CMOS器件性能和可靠性的各种影响,提出了分析和解决工业生产中应力相关问题的基本思路. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51843]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李睿,王庆东. 工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件的影响[J]. 物理学报,2008(07). |
| APA | 李睿,&王庆东.(2008).工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件的影响.物理学报(07). |
| MLA | 李睿,et al."工艺导致的机械应力对深亚微米CMOS器件的影响".物理学报 .07(2008). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。